厂家资料所述的化合物半导体光刻开发平台,当前成熟度与配置需确认。
请提供应用及目标技术指标,以便选型。
以下为厂家资料中的开发阶段指标。资料计划于 2025 年下半年完成首台原型验收;实际验收完成情况及当前产品成熟度仍需确认。 厂家参考资料;供货范围与配置以询价确认为准。
最终技术指标以报价确认为准。 咨询技术问题 ↗
用于芯片前道制造中的超浅结、源漏及硅化物等工艺的激光退火。
用于功率器件 IGBT 退火,支持超薄硅晶圆的深层掺杂激活。
用于先进逻辑与存储器工艺的高精度套刻量测及工艺控制。
请提供应用、基片及目标技术指标。