用于芯片前道制造中的超浅结、源漏及硅化物等工艺的激光退火。
请提供应用及目标技术指标，以便选型。
技术指标为参考信息，实际配置、性能与交期以报价确认为准。 厂家参考资料；供货范围与配置以询价确认为准。
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用于功率器件 IGBT 退火，支持超薄硅晶圆的深层掺杂激活。
用于先进逻辑与存储器工艺的高精度套刻量测及工艺控制。
用于集成电路前道工艺的宏观缺陷检测，可选配正面、背面与边缘检测。
请提供应用、基片及目标技术指标。
