设备供应LP3000 直写式光刻机
影速光电 / 光刻设备

LP3000 直写式光刻机

用于光刻掩膜版、晶圆及微纳加工的激光直写曝光。

0.5 / 0.8 / 1.5 µm
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配置与供货状态以询价确认为准

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产品资料

参考技术指标。

以下参数来自 2025 年 9 月 LP3000 产品资料。以斜杠分隔的数值依次对应各曝光模式,请在报价时确认所需配置。

参考技术指标
成像区域最大 9 × 9 英寸。
曝光模式第 1 / 第 2 / 第 3 模式
地址网格10 / 30 / 50 nm
最小结构0.5 / 0.8 / 1.5 µm
曝光速度27 / 50 / 220 mm²/min
快速模式曝光速度27 / 110 / 440 mm²/min
边缘粗糙度(3σ)50 / 70 / 110 nm
线宽均匀性(3σ)50 / 80 / 120 nm
对准精度(3σ)70 / 100 / 200 nm

参考资料:2025-09。最终技术指标以报价确认为准。 咨询技术问题 ↗

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