设备供应WEM2000 无掩模直写式光刻机
设备与材料 / 光刻设备

WEM2000 无掩模直写式光刻机

为研究开发、试制、小批量生产等用途提供直接成像曝光。

2 µm
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产品资料

参考技术指标。

技术指标为参考信息,实际配置、性能与交期以报价确认为准。

参考技术指标
最小线宽线距2 µm
最小特征尺寸1 µm
线宽均匀性(3σ)500 nm
边缘粗糙度(3σ)150 nm
正面套刻精度(3σ)500 nm
最大曝光效率1200 mm²/min
光源(未注明日期的设备资料)405 nm 或 375 nm
基底厚度(未注明日期的设备资料)0.1–5 mm
自动聚焦范围(未注明日期的设备资料)150 µm
可选功能(未注明日期的设备资料)背面套刻;EFEM

参考资料:2025 年 9 月公司资料及未注明日期的设备资料,具体见表格标注。最终技术指标以报价确认为准。 咨询技术问题 ↗

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